Стабильность калибровки растровых электронных микроскопов
Аннотация
С использованием меры МШПС-2.0К установлены среднесрочные стабильности хранения и воспроизводимости определяемого при калибровке масштабного коэффициента растровых электронных микроскопов. Сделаны выводы, что зависимость масштабного коэффициента от рабочего расстояния может приводить к разбросу результатов измерений, и для повышения точности измерений требуется прямое сравнение размеров измеряемого и эталонного объектов, полученных при одних и тех же параметрах микроскопа.
Об авторах
А. В. Заблоцкий
Московский физико-технический институт
Россия
Россия
В. В. Альзоба
Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума
Россия
Россия
С. А. Морозов
Московский физико-технический институт
Россия
Россия
П. А. Тодуа
Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума
Россия
Россия
Список литературы
1. Postek M.T, Vladar A.E. Critical dimension metrology and the scanning electron microscope / Handbook of Silicon Semiconductor Metrology. Ed. A.C.Diebold. N. Y. – Basel: Marcel Dekker, Inc., 2001. P. 295-333.
2. Валиев К.А. и др. Измерение линейных размеров кремниевых элементов нанорельефа с профилем, близким к прямоугольному, методом дефокусироки электронного зонда РЭМ // Микроэлектроника. 2010. Т. 39. № 6. С. 420–425.
3. Babin S. e.a. Calibration of CD-SEM: moving from relative to absolute measurements // Proc. SPIE. 2008. V. 6922. P. 69222M.
4. Li Y.G., Zhang P., Ding Z. J. Monte Carlo Simulation of CD-SEM images for linewidth and critical dimension metrology // Scanning. 2013. V. 35. P. 127–139
5. ГОСТ Р 8.636–2007. ГСИ. Микроскопы электронный растровые. Методика калибровки.
6. Marchman H. Scanning electron microscope matching and calibration for critical dimensional metrology // J. Vacuum Sci. Technol. B: Microelectronics and Nanometer Structures. 1997. V. 15. № 6. P. 2155 – 2161.
7. Gavrilenko V.P. e.a. Calibration of a scanning electron microscope in the wide range of magnifications for the microscope operation in the integrated circuit production line // Proc. SPIE. 2009. V. 7272. P. 72720Z.
8. Scanning Microscopy for Nanotechnology Techniques and Applications/ Ed. W. Zhou, Z.L. Wang. N.Y.: Springer Science+Business Media LLC, 2006. P. 1–40.
9. Новиков Ю.А. и д. р. Линейная мера микрометрового и нанометрового диапазонов для растровой электронной и атомно-силовой микроскопии // Труды ИОФАН. 2006. Т. 62. С. 36–76.
10. ГОСТ 8.592–2009. ГСИ. Меры рельефные нанометрового диапазона из монокристаллического кремния. Требования к геометрическим формам, линейным размерам и выбору материала для изготовления.
11. Гавриленко В.П. и др. Влияние контаминации в РЭМ на профиль рельефных элементов нанометровго дипапазона // Нанои микросистемная техника. 2011. № 2. С. 2–6.
12. Mizuno F. e. a. Evaluation of the long-term stability of critical-dimension measurement scanning electron microscopes using a calibration standard // Vacuum Sci. Technol. B: Microelectronics and Nanometer Structures. 1997. V. 15. Is. 6. P. 2155 – 2161.
Рецензия
Для цитирования:
Заблоцкий А.В., Альзоба В.В., Морозов С.А., Тодуа П.А. Стабильность калибровки растровых электронных микроскопов. Метрология. 2013;(6):8-15.
Просмотров:
68
