МЕТОДИКА ОТБРАКОВКИ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ ПО ПАРАЗИТНОМУ НЕЖЕЛАТЕЛЬНОМУ ОТКРЫВАНИЮ
Аннотация
Описан один из аспектов отбраковки мощных МОП-транзисторов. Определен механизм открывания и предложена методика отбраковки транзисторов при наличии эффекта нежелательного открывания, связанного со скоростью нарастания напряжения сток–исток при его выключении.
Об авторах
А. В. Завьялов
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Москва
Россия
Россия
М. Н. Пущин
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Москва
Россия
Россия
Список литературы
1. Barkhordarian V. Power MOSFET Basics. [электрон. ресурс]. http://www.irf.com/technical-info/appnotes/mosfet.pdf (дата обращения: 20.09.2011 г.)
2. Pelli R. Brain. The Do’s and Don’ts of Using MOS-Gated Transistors. [электрон. ресурс]. http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-936.pdf (дата обращения: 20.09.2011 г.)
Рецензия
Для цитирования:
Завьялов А.В., Пущин М.Н. МЕТОДИКА ОТБРАКОВКИ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ ПО ПАРАЗИТНОМУ НЕЖЕЛАТЕЛЬНОМУ ОТКРЫВАНИЮ. Метрология. 2012;(8):33-38.
Просмотров:
35
