Влияние контаминации в растровых электронных микроскопах на профиль рельефных элементов в монокристаллическом кремнии
Abstract
We present the results of the study of the effect of contamination in a S-4800 SEM on the profiles of relief elements on silicon surface. It is shown, that the 20 keV electron irradiation leads to the modification of the profiles of the relief elements. Dependences of the profile parameters on the electron irradiation dose are presented for different irradiation modes.
About the Authors
В. Гавриленко
Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума, Москва
Russian Federation
Russian Federation
А. Кузин
Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума, Москва
Russian Federation
Russian Federation
В. Митюхляев
Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума, Москва
Russian Federation
Russian Federation
А. Раков
Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума, Москва
Russian Federation
Russian Federation
П. Тодуа
Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума, Москва
Russian Federation
Russian Federation
М. Филиппов
Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума, Москва
Russian Federation
Russian Federation
В. Шаронов
Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума, Москва
Russian Federation
Russian Federation
References
1. Жданов Г. С. О скорости углеводородного загрязнения объектов в микрозондовых системах //Поверхность. 1983. № 1. С. 65 – 72.
2. Postek M. T. An approach to the reduction of hydrocarbon contamination in the scanning electron microscope //Scanning. 1996. V. 18. N 4. P. 269 – 274.
3. ГОСТ Р 8.636–2007. ГСИ. Микроскопы электронные растровые. Методика калибровки.
4. ГОСТ Р 8.631–2007. ГСИ. Микроскопы электронные растровые измерительные. Методика поверки.
5. Tortonese M., Guan Y., Prochazka J. NIST-traceable calibration of CD-SEM magnification using a 100 nm pitch standard // Proc. SPIE. 2003. V. 5038. P. 711 – 718.
6. Новиков Ю. А. и др. Линейная мера микрометрового и нанометрового диапазонов для растровой электронной и атомно-силовой микроскопии // Труды ИОФАН. 2006. Т. 62. С. 36 – 76.
7. Kanaya K., Okayama S. Penetration and energy-loss theory of electrons in solid targets// J. Phys. D. 1972. V. 5, N 1. P. 43 – 58.
8. Novikov Yu. A. е. а. Method for linear measurements in the nanometre range //Meas. Sci. Tech. 2008. V. 18. N 2. P. 367 – 374.
9. Silvis-Cividjan N., Hagen C.W., Kruit P. Spatial resolution limits in electron-beam-induced deposition //J. Appl. Phys. 2005. V. 98. P. 084905-1 – 084905-12.
Review
For citations:
, , , , , , . Metrologiya. 2012;(8):15-23. (In Russ.)
Views:
51
