сгенерировать QR код
Открытый доступ
Только для подписчиков
Условия измерений ширины выступа растровым и просвечивающим электронными микроскопами в диапазоне менее 50 нм
https://doi.org/10.32446/0132-4713.2019-2-12-26
Аннотация
Оценена возможная разница значений ширины выступа, которая может возникнуть при измерении этой величины с помощью растрового и просвечивающего электронных микроскопов. Для обоих микроскопов оценён вклад потенциальных источников погрешности, способных привести к возможной разнице. Важнейшим источником является несовершенство модели линейных измерений для растрового электронного микроскопа. Измерения ширины с помощью просвечивающего микроскопа также приводят к погрешности. Погрешности возникают из-за множества деталей реальной формы профиля выступа, учёт влияния которых на значение ширины затруднён. В результате разница значений ширины, полученных исследуемыми микроскопами, может составить 1-20 нм.
Ключевые слова
нанометрология,
просвечивающий электронный микроскоп (ПЭМ),
растровый электронный микроскоп (РЭМ),
мера ширины МШПС-2К,
систематические погрешности измерения,
nanometrology,
transmission electron microscope (ТEM),
raster electron microscope (REM),
the measure of the width of the MSPS-2K,
systematic measurement errors
Список литературы
1. Ларионов Ю. В. Калибровка меры МШПС-2 с помощью просвечивающего электронного микроскопа // Метрология 2017. № 4. С. 15-24.
2. ГОСТ 8.594-2009. Межгосударственный стандарт. Микроскопы электронные растровые. Методика поверки.
3. Новиков Ю. А., Горнев Е. С., Волк Ч. П. и др. Проблемы измерения геометрических характеристик электронного зонда растрового электронного микроскопа // Труды ИОФАН. 2006. Т. 62. С. 77-120.
4. Ларионов Ю. В. Оценка диаметра пучка РЭМ по кривым видеосигнала от трапецеидальной структуры: 1-эксперимент // Поверхность. 2016. № 12. С. 96-108.
5. Frase C., Haßler-Grohne W., Dai1 G., Bosse H. et al. SEM linewidth measurements of anisotropically etched silicon structures smaller than 0,1 µm // Meas. Sci. Technol. 2007. V. 18. P. 439-447.
6. Ларионов Ю. В. Измерение диаметра пучка РЭМ с помощью рельефной структуры. Влияние контаминации // Поверхность. 2014. № 11. С. 51-60.
7. Fillipov M. N., Ermakova M.A., Gavrilenko V.P., Zablotskiy A.V., Kuzin A.Yu, Todua P.A. Natural oxide thickness measurements on the test silicon relief pitch structure // Proc. SPIE. 2012. V. 8700. Р. 87000U1-6.
8. Международный словарь по метрологии. Основные и общие понятия и соответствующие термины. CПб.: НПО «Профессионал», 2010. 81 с.
Рецензия
Для цитирования:
Ларионов Ю.В. Условия измерений ширины выступа растровым и просвечивающим электронными микроскопами в диапазоне менее 50 нм. Метрология. 2019;(2):12-26. https://doi.org/10.32446/0132-4713.2019-2-12-26
For citation:
Larionov Yu.V. Conditions of measurement of protrusion linewidth by scanning and transmission microscopes in a range of less 50 nanometers. Metrologiya. 2019;(2):12-26. (In Russ.) https://doi.org/10.32446/0132-4713.2019-2-12-26
Просмотров:
156
