сгенерировать QR код
Открытый доступ
Только для подписчиков
Калибровка рельефных мер нанометрового диапазона с помощью просвечивающего электронного микроскопа
Аннотация
Рассмотрен метод калибровки меры ширины нанометрового диапазона по периоду решётки атомов кремния с использованием просвечивающего электронного микроскопа. Выявлено, что несколько геометрических параметров, характеризующих профиль выступа на изображении, полученном с помощью просвечивающего электронного микроскопа, вносят вклад в неопределённость измерения ширины, как единственного контролируемого параметра (а также в разницу значений ширины, полученных с помощью просвечивающего и растрового электронных микроскопов в диапазоне значений порядка 10 нм). Наибольший вклад в разницу этих значений вносят несовершенства используемой модели расчёта ширины для растрового электронного микроскопа. Обнаружение множества геометрических параметров выступа ведет к случайному характеру значений ширины, получаемых в модели измерения ширины как единственного параметра. Источником неопределённости является также отсутствие учёта неровностей краёв выступов.
Список литературы
1. ГОСТ Р 8.629-2007. Меры рельефные нанометрового диапазона с трапецеидальным профилем элементов. Методика поверки.
2. Fillipov M. N., Gavrilenko V. P., Kovalchuk M. V. e. a. New reference material for transmission electron microscope calibration // Proc. SPIE. 2012. V. 8466. 8466OD. P. 1-7.
3. ГОСТ Р 8.628-2007. Меры рельефные нанометрового диапазона из монокристаллического кремния.
4. Новиков Ю., Озерин Ю., Плотников Ю. Тодуа П. и др. Линейная мера микрометрового и нанометрового диапазонов для растровой электронной и атомно-силовой микроскопии // Труды ИОФАН. 2006. Т. 62. C. 36-76.
5. Fillipov M. N., Guthrie W. F., Cresswell M., e. a. Natural oxide thickness measurements on the test silicon relief pitch structure // Proc. SPIE. 2012. V. 8700. 87000U. P. 1-15.
6. Dixon R. G., Roberta J., Bankea B. Single crystal critical reference material (SCCDRM): Process optimization for the next generation of standards // Proc. SPIE. 2007. V. 6518. 651815. P. 1-11.
7. Cresswell M., Richard A., Guthrie W., e. a. Comparision of SEM and HRTEM CD measurements extracted from test structures having features linewidth from 40 to 240 nm // IEEE Transaction on Instrumentation and Measurement. 2008. V. 57. No.1. P. 100-109.
8. Cresswell M., Davidson M., Mijares G., e. a. Mapping the edge rougthness of test structure features for nanometer level CD // Proc. Int. Conf. on Microelectronic Test Structures reference materials. 2009. P. 84-90.
9. Takamasu K., Okitou H., Takahashia S., Konnob M. e. a.Sub-nanometer line width and line profile measurement for CD-SEM calibration by using STEM // Proc. SPIE 2011. V.7971. 797108. P. 1-8.
10. Gavrilenko V., Fillipov M., Novikov Yu., Rakov A. e. a. Measurements of linear sizes of relief elements in the nanometer range using a scanning electron microscope // Proc. SPIE. 2007. V. 6648. 6648OT1. P.1-12.
11. Novikov Yu., Fillipov M. Darznek S., Mitukhlyaev V. e a. Nanorelief elements in reference measures for scanning electron microscopy // Proc. SPIE. 2008. V. 7025. 702511. P. 1-12.
12. Fillipov M., Novikov Yu. Rakov A. Todua P. e. a. SEM probe defocusing method of measurement of linear sizes of nanorelief elements // Proc. SPIE. 2010. V. 7521.752116. P. 1-9.
13. Новиков Ю. А., Горнев Е. С., Волк Ч. П. и др. Проблемы измерения геометрических характеристик электронного зонда растрового электронного микроскопа // Труды ИОФАН. 2006. Т. 62. С. 77-120.
14. Frase C., Haßler-Grohne W., Dai1 G., Bosse H. e. a. SEM linewidth measurements of anisotropically etched silicon structures smaller than 0,1 µm // Meas. Sci. Technol. 2007. V. 18. P. 439-447.
15. Ларионов Ю. В. Оценка диаметра пучка РЭМ по кривым видеосигнала от трапецеидальной структуры: модельный эксперимент // Поверхность. 2016. №3. С. 87-97.
16. Ларионов Ю. В. Сканирование поверхности кремния в высоковольтном РЭМ без контаминации // Нано и микросистемная техника. 2017. Т. 9. № 6. С. 323-330.
Рецензия
Для цитирования:
Ларионов Ю.В. Калибровка рельефных мер нанометрового диапазона с помощью просвечивающего электронного микроскопа. Метрология. 2017;(4):15-24.
Просмотров:
40
