Generate QR code
Open Access
Subscription Access
Метод измерения S-параметров транзисторов на имитаторе-анализаторе усилителей и автогенераторов сверхвысоких частот
Abstract
The method of adequate measuring S -parameters of transistors with their specified operating characteristics is proposed. The procedures of sequent normalization of S -parameters as regards the wave resistance of calculated microstrip matched calibrator used for additional calibration of the simulator-analyzer, and of measuring of complex reflection and transmission coefficients of the transistor, and of measuring complex reflection coefficients of transistor’s matching circuits. The block diagram and a mathematical model of simulator-analyzer are adduced.
Keywords
S-параметры транзисторов,
имитатор-анализатор усилителей и автогенераторов сверхвысоких частот,
математическая модель имитатора-анализатора,
комплексные коэффициенты отражения и передачи транзистора,
комплексные коэффициенты отражения согласующих цепей транзистора,
S-parameters of the transistors,
simulator-analyzer of amplifiers and microwave oscillators ,
mathematical model of simulator-analyzer,
complex reflection and transmission coefficients of transistor,
complex reflection coefficients of transistor’s matching circuits
About the Authors
С. Савелькаев
Сибирский государственный университет геосистем и технологий
Russian Federation
Russian Federation
С. Ромасько
Сибирский государственный университет геосистем и технологий
Russian Federation
Russian Federation
References
1. Хибель М., Филлипп У. Основы векторного анализа цепей М.: Издательский дом МЭИ, 2009.
2. Моругин С. Л., Скрипкин Н. И., Шмелев А. В. Измерение в «горячем» режиме с импульсными сигналами на анализаторе цепей R&SZVA. [Электрон. ресурс]: http: www.rohde-schwarz.ru/439/ AN001rus_HotS22_pulse.pdf (дата обращения 10.01.2016).
3. Root D. E., Horn J., Betts L., Gillease Ch., Verspecht J. Х-параметры: новый принцип измерений, моделирования и разработки нелинейных ВЧ и СВЧ компонентов // Контрольно-измерительные приборы и системы. 2009. № 2. C. 20-24.
4. Никулин С. М., Торгованов А. И. Измерение S-параметров СВЧ транзисторов при высоком уровне мощности методом пространственно удаленной нагрузки // Датчики и системы. 2015. № 4 (191). С. 14-18.
5. Mazumder S. R. Two-signal method of measuring the large-signal S-parameters of transistors / IEEE Trans. 1978. V. MTT-26. No. 6. P. 417-420.
6. Li S. H., Bosisio R. G. Automatic analysis of two-port active microwave network / Electronics Letters. 1982. V. 18. No. 24. P. 1033-1034.
7. Пат. 2361227 РФ. Способ измерения S-параметров транзисторов СВЧ в линейном режиме / Ю. В. Рясный, А. В. Борисов, А. Н. Лоскутов, М. С. Чашков // Изобретения. Полезные модели. 2009.
8. Савелькаев С. В. Двухсигнальный метод измерения S-параметров активных СВЧ-цепей в режиме большого сигнала. Сер. Электроника СВЧ // Электронная техника. 1991. Вып. 5(439). С. 30-32.
9. Савелькаев С. В. Коаксиальное контактное устройство // Измерительная техника. 2005. № 5. С. 65-68.
10. Савелькаев С. В. Методы анализа устойчивости активных СВЧ-цепей и измерения их S-параметров // Метрология. 2005. № 4. С. 19-28.
11. Савелькаев С. В. Теоретические основы построения двухсигнальных анализаторов СВЧ-цепей // Измерительная техника. 2005. № 3. С. 41-46.
12. Силаев М. А., Брянцев С. Ф. Приложение матриц и графов к анализу СВЧ устройств. М.: Советское радио, 1970.
Review
For citations:
, . Metrologiya. 2017;(2):31-44. (In Russ.)
Views:
86
