Метод измерения S-параметров транзисторов на имитаторе-анализаторе усилителей и автогенераторов сверхвысоких частот

Предложен метод измерения S -параметров транзисторов при заданных эксплуатационных характеристиках. Рассмотрены методики: последующей нормировки S -параметров относительно волнового сопротивления расчётного микрополоскового согласованного калибратора, используемого для дополнительной калибровки имитатора-анализатора; измерения комплексных коэффициентов отражения и передачи транзистора; определения комплексных коэффициентов отражения согласующих цепей транзистора. Приведены структурная схема и математическая модель имитатора-анализатора.

S-параметры транзисторов, имитатор-анализатор усилителей и автогенераторов сверхвысоких частот, математическая модель имитатора-анализатора, комплексные коэффициенты отражения и передачи транзистора, комплексные коэффициенты отражения согласующих цепей транзистора, S-parameters of the transistors, simulator-analyzer of amplifiers and microwave oscillators , mathematical model of simulator-analyzer, complex reflection and transmission coefficients of transistor, complex reflection coefficients of transistor’s matching circuits

1. Хибель М., Филлипп У. Основы векторного анализа цепей М.: Издательский дом МЭИ, 2009.

2. Моругин С. Л., Скрипкин Н. И., Шмелев А. В. Измерение в «горячем» режиме с импульсными сигналами на анализаторе цепей R&SZVA. [Электрон. ресурс]: http: www.rohde-schwarz.ru/439/ AN001rus_HotS22_pulse.pdf (дата обращения 10.01.2016).

3. Root D. E., Horn J., Betts L., Gillease Ch., Verspecht J. Х-параметры: новый принцип измерений, моделирования и разработки нелинейных ВЧ и СВЧ компонентов // Контрольно-измерительные приборы и системы. 2009. № 2. C. 20-24.

4. Никулин С. М., Торгованов А. И. Измерение S-параметров СВЧ транзисторов при высоком уровне мощности методом пространственно удаленной нагрузки // Датчики и системы. 2015. № 4 (191). С. 14-18.

5. Mazumder S. R. Two-signal method of measuring the large-signal S-parameters of transistors / IEEE Trans. 1978. V. MTT-26. No. 6. P. 417-420.

6. Li S. H., Bosisio R. G. Automatic analysis of two-port active microwave network / Electronics Letters. 1982. V. 18. No. 24. P. 1033-1034.

7. Пат. 2361227 РФ. Способ измерения S-параметров транзисторов СВЧ в линейном режиме / Ю. В. Рясный, А. В. Борисов, А. Н. Лоскутов, М. С. Чашков // Изобретения. Полезные модели. 2009.

8. Савелькаев С. В. Двухсигнальный метод измерения S-параметров активных СВЧ-цепей в режиме большого сигнала. Сер. Электроника СВЧ // Электронная техника. 1991. Вып. 5(439). С. 30-32.

9. Савелькаев С. В. Коаксиальное контактное устройство // Измерительная техника. 2005. № 5. С. 65-68.

10. Савелькаев С. В. Методы анализа устойчивости активных СВЧ-цепей и измерения их S-параметров // Метрология. 2005. № 4. С. 19-28.

11. Савелькаев С. В. Теоретические основы построения двухсигнальных анализаторов СВЧ-цепей // Измерительная техника. 2005. № 3. С. 41-46.

12. Силаев М. А., Брянцев С. Ф. Приложение матриц и графов к анализу СВЧ устройств. М.: Советское радио, 1970.