Определение модового состава излучения лазерного диода в открытом пространстве
Аннотация
Описаны установка и методика определения модового состава излучения лазерных диодов с квантоворазмернымигетероструктурами раздельного ограничения. С учетом особенностей лазерных пучков с большой расходимостью методика позволяет определять,является ли режим генерации диода одномодовым.Впервые установлено, что диаграмму направленности излучения одномодовыхдиодов можно задать в элементарных функциях.
Об авторах
В. В. Близнюк
Национальный исследовательский университет «МЭИ»
Россия
Россия
М. А. Брит
Национальный исследовательский университет «МЭИ»
Россия
Россия
В. С. Ефремов
Национальный исследовательский университет «МЭИ»
Россия
Россия
О. О. Костина
Национальный исследовательский университет «МЭИ»
Россия
Россия
И. В. Крайнов
Национальный исследовательский университет «МЭИ»
Россия
Россия
Н. Н. Степанова
Национальный исследовательский университет «МЭИ»
Россия
Россия
Список литературы
1. ГОСТ 8.275–2007. ГСИ. Государственная поверочная схема для средств измерений средней мощности лазерного излучения в диапазоне длин волн от 0,3 до 12,0 мкм.
2. ГОСТ Р ИСО 11554–2008.Оптика и фотоника. Лазеры и лазерные установки (системы). Методы испытаний лазеров и измерений мощности, энергии и временных характеристик лазерного пучка.
3. ГОСТ Р ИСО/ТО 11146-3–2008. Лазеры и лазерные установки (системы). Методы измерений ширин, углов расходимости и коэффициентов распространения лазерных пучков. Часть 3. Собственная и геометрическая классификация лазерных пучков, специфика их распространения и методики измерений.
4. ГОСТ Р ИСО 13694–2010. Опика и оптические приборы. Лазеры и лазерные установки (системы). Методы измерений распределения плотности мощности (энергии) лазерного пучка.
5. Давыдова Е.И. и др. Мощные одномодовые лазерные диоды на основе квантоворазмерныхгетероструктурInGaAs/AlGaAs,легированных углеродом // Квантовая электроника. 2009. Т.39. № 1. С. 18 – 20.
6. Слипченко С.О. и др.Сверхнизкие внутренние оптические потери в квантово-размерных лазерных гетероструктурах раздельного ограничения // Физика и техника полупроводников. 2004. Т.38.Вып. 12. С. 1477 – 1486.
7. Лютецкий А.В. и др. Мощные диодные лазеры на основе асимметричных квантово-размерных гетероструктур раздельного ограничения InGaAsP/InP // Физика и техникаполупроводников. 2009. Т.43.вып. 12. С. 1646 – 1648.
8. Поповичев В. В. и др. Мощные поперечно-одномодовые полупроводниковые лазеры с гребневой конструкцией оптического волновода // Квантовая электроника. 2002. Т.32. № 12. С. 1099 – 1104.
9. Лютецкий А.В. и др.Лазерныедиодынаосновеквантово-размерныхInGaAsP/InP-гетероструктур1,7 – 1,8 мкм// Физикаитехникаполупроводников. 2003.Т.37.Вып. 11.С. 139 –1401.
10. Лешко А.Ю. и др. Мощные одномодовые лазерные диоды на основе квантово-размерных InGaAsP/InP-гетероструктур 1,3 – 1,6 мкм // Физика и техника полупроводников. 2002. Т.36.Вып. 11. С. 1393 –1399.
11. Кейси Х.,Паниш М. Лазеры на гетероструктурах. М.: Мир, 1981. Т.2.
12. Fox A.G., Li T. ResenentModesinaMaser Interferometer// BSTG. 1961. V.40.P. 489.
13. Kogelnik H., Li T. Laser Beams and Resonators// Proc. IEEE. 1966.V. 54.P. 312.
14. Ишанин Г.Г., Козлов М.Г., Томский К.А. Основы светотехники.СПб.:Береста, 2004.
15. Богатов А.П. и др. Яркость и филаментация оптического потока мощных квантоворазмерныхInGaAs/GaAs – лазеров, работающих в непрерывном режиме// Квантовая электроника. 2000. Т. 30. №5. С. 401–405.
Рецензия
Для цитирования:
Близнюк В.В., Брит М.А., Ефремов В.С., Костина О.О., Крайнов И.В., Степанова Н.Н. Определение модового состава излучения лазерного диода в открытом пространстве. Метрология. 2013;(12):16-26.
Просмотров:
94
