metrolМетрологияMetrologiya0132-47132712-9071ВНИИМСmetrol-342Research ArticleМЕХАНИЧЕСКИЕ ИЗМЕРЕНИЯСостояние и перспективы создания полупроводниковых микроэлектромеханических систем и датчиков давления на их основеВасильевВ. А.opto@bk.ruМоскалевС. А.noemail@neicon.ruПолзуновИ. В.noemail@neicon.ruШокоровВ. А.noemail@neicon.ruПензенский государственный университетRussian FederationОАО "НИИ физических измерений"Russian Federation2014070220230111524Copyright © ВНИИМС, 20232023ВНИИМСВНИИМСhttps://metrol.elpub.ru/jour/about/submissions#copyrightNoticehttps://metrol.elpub.ru/jour/article/view/342

Проанализированы современное состояние и перспективы создания датчиков давления на базе полупроводниковых микроэлектромеханических систем в России и за рубежом. Рассмотрены конструктивные особенности и основные параметры современных датчиков давления. Определены тенденции и направления их совершенствования.

The analysis of the current state and prospects for the creation of semiconductor microelectromechanical systems pressure sensors in Russia and abroad. Main parameters and characteristics of contemporary pressure sensors defined. Tendencies and directions of improvement of sensors based on these systems are defined.

микроэлектромеханическая системадатчик давленияmicroelectromechanical systemspressure sensorReferencesБелозубов Е. М. и др. Датчики давления в России и за рубежом // Метрология. 2010. № 10. С. 15-24.Белозубов Е. М. и др. Датчики давления в России и за рубежом // Метрология. 2010. № 10. С. 15-24.ГОСТ 15467-79 Управление качеством продукции. Основные понятия. Термины и определения.ГОСТ 15467-79 Управление качеством продукции. Основные понятия. Термины и определения.Гусаров В. В. Тенденции в совершенствовании программ и методик испытаний датчиков давления // Мир измерений. 2002. № 7-8. С. 23-27.Гусаров В. В. Тенденции в совершенствовании программ и методик испытаний датчиков давления // Мир измерений. 2002. № 7-8. С. 23-27.Маргелов А. Датчики давления компании Honeywell // Chip News. 2005. № 7 (100). C. 11-12.Маргелов А. Датчики давления компании Honeywell // Chip News. 2005. № 7 (100). C. 11-12.Кривченко Т. П., Чепурин И. Н. Полупроводниковые датчики компании Моторола // Современная электроника. 2003. № 3. С. 34-38.Кривченко Т. П., Чепурин И. Н. Полупроводниковые датчики компании Моторола // Современная электроника. 2003. № 3. С. 34-38.Каталог ОАО «НИИФИ». Датчики, преобразователи, системы. (Электрон. ресурс). http://www.niifi.ru/Pdfs/Catalogue_2011.pdf (дата обращения 25.06.2014 г.)Каталог ОАО «НИИФИ». Датчики, преобразователи, системы. (Электрон. ресурс). http://www.niifi.ru/Pdfs/Catalogue_2011.pdf (дата обращения 25.06.2014 г.)Баринов И. и др. Микроэлектронные датчики физических величин на основе МЭМС-технологий // Компоненты и технологии. 2010. № 1. С. 24-27.Баринов И. и др. Микроэлектронные датчики физических величин на основе МЭМС-технологий // Компоненты и технологии. 2010. № 1. С. 24-27.Лурье Г. И. Датчики давления для общепромышленного применения. Ч. 1. (Электрон. ресурс). http://www.manometr.com/lematt/r174-1.pdf (дата обращения 25.06.2014 г.)Лурье Г. И. Датчики давления для общепромышленного применения. Ч. 1. (Электрон. ресурс). http://www.manometr.com/lematt/r174-1.pdf (дата обращения 25.06.2014 г.)Kurtz A. D., Ned A. A., Epstein A. H. Ultra High Temperature, Miniature, SOI Sensors for Extreme Environments // IMAPS Int. HiTEC 2004 Conf. Santa Fe, New Mexico, May 17-20, 2004.Kurtz A. D., Ned A. A., Epstein A. H. Ultra High Temperature, Miniature, SOI Sensors for Extreme Environments // IMAPS Int. HiTEC 2004 Conf. Santa Fe, New Mexico, May 17-20, 2004.Зацерклянный О. В. Интеллектуальные датчики давления с элементами диагностики и управления // Датчики и системы. 2008. № 11. С. 19-23.Зацерклянный О. В. Интеллектуальные датчики давления с элементами диагностики и управления // Датчики и системы. 2008. № 11. С. 19-23.Преобразователи давления с нормированным сигналом. (Электрон. ресурс). http://www.oooproma.ru/3.html (дата обращения: 25.06.2014 г.)Преобразователи давления с нормированным сигналом. (Электрон. ресурс). http://www.oooproma.ru/3.html (дата обращения: 25.06.2014 г.)Minebea Core Technology. Measuring Components. (Электрон. ресурс). http://www.minebea-mcd.com (дата обращения: 26.06.2014 г.)Minebea Core Technology. Measuring Components. (Электрон. ресурс). http://www.minebea-mcd.com (дата обращения: 26.06.2014 г.)Стучебников В. М. Измерение давления высокотемпературных сред // Тезисы докл. IX Междунар. науч.-техн. семинара. СПб, ВНИИМ, 2004. С. 54-56.Стучебников В. М. Измерение давления высокотемпературных сред // Тезисы докл. IX Междунар. науч.-техн. семинара. СПб, ВНИИМ, 2004. С. 54-56.Руководство по эксплуатации тензопреобразователей «кремний на сапфире»; тензопреобразователи силы (серия С) и давления (серия Д). (Электрон. ресурс). http://www.zaovip.ru/ (дата обращения: 26.06.2014 г.)Руководство по эксплуатации тензопреобразователей «кремний на сапфире»; тензопреобразователи силы (серия С) и давления (серия Д). (Электрон. ресурс). http://www.zaovip.ru/ (дата обращения: 26.06.2014 г.)Пат. 2430342 РФ. Полупроводниковый датчик давления с частотным выходным сигналом / В. А. Васильев, Н. В. Громков, С. А. Москалев // Изобретения. Полезные модели. 2011. № 27.Пат. 2430342 РФ. Полупроводниковый датчик давления с частотным выходным сигналом / В. А. Васильев, Н. В. Громков, С. А. Москалев // Изобретения. Полезные модели. 2011. № 27.Пат. 2451270 РФ. Полупроводниковый датчик давления повышенной точности / В. А. Васильев, Н. В. Громков, С. А. Москалев // Изобретения. Полезные модели. 2012. № 14.Пат. 2451270 РФ. Полупроводниковый датчик давления повышенной точности / В. А. Васильев, Н. В. Громков, С. А. Москалев // Изобретения. Полезные модели. 2012. № 14.Громков Н. В. Математическая модель и анализ влияния собственных шумов элементов схемы корректирующего канала на выходной сигнал измерительных преобразователей // Изв. высш. учеб. заведений. Поволжский регион. Технические науки. 2007. № 4. С. 152-165.Громков Н. В. Математическая модель и анализ влияния собственных шумов элементов схемы корректирующего канала на выходной сигнал измерительных преобразователей // Изв. высш. учеб. заведений. Поволжский регион. Технические науки. 2007. № 4. С. 152-165.Карман А. Н. и др. Датчики и переключатели давления // Журнал ПиКАД. 2004. № 2. С. 14-15.Карман А. Н. и др. Датчики и переключатели давления // Журнал ПиКАД. 2004. № 2. С. 14-15.Корляков А. В. Физико-технологические основы формирования базовых элементов микросистемной техники: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. докт. техн. наук. СПб., 2010.Корляков А. В. Физико-технологические основы формирования базовых элементов микросистемной техники: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. докт. техн. наук. СПб., 2010.Баринов И. Н. Высокотемпературные тензорезистивные датчики давлений на основе карбида кремния. Состояние разработок и тенденции развития // Компоненты и технологии. 2010. № 8. С. 64-71.Баринов И. Н. Высокотемпературные тензорезистивные датчики давлений на основе карбида кремния. Состояние разработок и тенденции развития // Компоненты и технологии. 2010. № 8. С. 64-71.Ned A. A. е. а. Improved SiC Leadless Pressure Sensors For High Temperature, Low and High Pressure Applications // Twenty-First Transducer Workshop Lexington (Maryland), 2004.Ned A. A. е. а. Improved SiC Leadless Pressure Sensors For High Temperature, Low and High Pressure Applications // Twenty-First Transducer Workshop Lexington (Maryland), 2004.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.