metrolМетрологияMetrologiya0132-47132712-9071ВНИИМСmetrol-156Research ArticleЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ИЗМЕРЕНИЯДинамические характеристики мостовых сенсорных модулей на базе анизотропного магниторезистивного эффектаЗаикоА. И.zaiko@ugatu.ac.ruКильметовЭ. А.KilmetovEA@mail.ruУфимский государственный авиационный технический университетRussian Federation201707022023033945Copyright © ВНИИМС, 20232023ВНИИМСВНИИМСhttps://metrol.elpub.ru/jour/about/submissions#copyrightNoticehttps://metrol.elpub.ru/jour/article/view/156

Получены динамические характеристики сенсорных модулей на основе анизотропного магниторезистивного эффекта. Приведена математическая модель динамических параметров предложенного сенсорного модуля.

Obtained dynamic characteristics of anisotropic magnetoresistive sensors. A mathematical model of the dynamic parameters of the anisotropic magnetoresistive sensor module.

анизотропный магниторезистивный эффектсенсординамические характеристикиAMR effectsensordynamic characteristicsReferencesБалакирев В. С. Экспериментальное определение динамических характеристик промышленных объектов управления. М.: Энергия, 1967.Балакирев В. С. Экспериментальное определение динамических характеристик промышленных объектов управления. М.: Энергия, 1967.Шарапова В. М., Полищука Е. С. Датчики: Справочное пособие. М.: Техносфера, 2012.Шарапова В. М., Полищука Е. С. Датчики: Справочное пособие. М.: Техносфера, 2012.Пат. 140183 РФ. Магниторезистивный сенсорный модуль / А. В. Воробьев, А. И. Заико, Э. А. Кильметов // Изобретения. Полезные модели. 2014. № 12.Пат. 140183 РФ. Магниторезистивный сенсорный модуль / А. В. Воробьев, А. И. Заико, Э. А. Кильметов // Изобретения. Полезные модели. 2014. № 12.Пат. 2553740 РФ. Способ повышения показателя чувствительности магниторезистивных датчиков / А. В. Воробьев, А. И. Заико, Э. А. Кильметов // Изобретения. Полезные модели. 2015. № 17.Пат. 2553740 РФ. Способ повышения показателя чувствительности магниторезистивных датчиков / А. В. Воробьев, А. И. Заико, Э. А. Кильметов // Изобретения. Полезные модели. 2015. № 17.Воробьев А. В. Магнитные материалы и элементы электронных устройств. Уфа: УГАТУ, 2012.Воробьев А. В. Магнитные материалы и элементы электронных устройств. Уфа: УГАТУ, 2012.Бараночников М. Л. Микромагнитоэлектроника: Справочник в 2 т. Т.1. М.: ДМК Пресс, 2001.Бараночников М. Л. Микромагнитоэлектроника: Справочник в 2 т. Т.1. М.: ДМК Пресс, 2001.Ripka P., Tipek А. Modern Sensors. London: ISTE Ltd, 2007. P. 511.Ripka P., Tipek А. Modern Sensors. London: ISTE Ltd, 2007. P. 511.Касаткин С. И. Спинтронные магниторезистивные элементы и приборы на их основе. М.: Институт проблем управления РАН, 2005.Касаткин С. И. Спинтронные магниторезистивные элементы и приборы на их основе. М.: Институт проблем управления РАН, 2005.Котенко Г. И. Магниторезисторы. М.: Энергия, 1972.Котенко Г. И. Магниторезисторы. М.: Энергия, 1972.Заико А. И., Бакиров А. А. Методика экспериментального определения переходных функций измерительных систем с внутренними шумами. Уфа: УАИ, 1979.Заико А. И., Бакиров А. А. Методика экспериментального определения переходных функций измерительных систем с внутренними шумами. Уфа: УАИ, 1979.Островский Л. А. Основы общей теории электроизмерительных устройств. Л.: Энергия, 1971.Островский Л. А. Основы общей теории электроизмерительных устройств. Л.: Энергия, 1971.Заико А. И. Кильметов Э. А. Динамическая модель датчиков напряженности магнитного поля на базе АМР эффекта // Перспективные информационные технологии (ПИТ 2016): Труды междунар. науч.-техн. конф. Самара: Самарский научный центр РАН, 2016. С. 884-888.Заико А. И. Кильметов Э. А. Динамическая модель датчиков напряженности магнитного поля на базе АМР эффекта // Перспективные информационные технологии (ПИТ 2016): Труды междунар. науч.-техн. конф. Самара: Самарский научный центр РАН, 2016. С. 884-888.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.